No ano passado, a Intel anunciou uma importante conquista tecnológica que viabilizou seu processo de fabricação de 45 nm a partir de um novo material high-K à base de Háfnio e um novo elemento metálico nas portas dos transistores — o chamado “Hi-K+Metal Gate” (HKMG) — minimizando assim o vazamento de corrente, tornando-os mais eficientes em termos de consumo de energia, além de proporcionar melhor desempenho.

O interessante é que, na época, os pesquisadores de Santa Clara estavam tão orgulhosos da sua descoberta, que disseram não acreditar que a concorrência seria capaz de igualar tal façanha antes da chegada do processo de 32 nm, prevista para 2009. A boa notícia (para a Intel) é que a concorrência realmente não dominou a tecnologia HKMG antes do processo de 32 nm. A má notícia (para a Intel) é que eles conseguiram isso em 2008, um ano antes da Intel anunciar o seu próprio processo.

O autor dessa façanha foi um consórcio de várias empresas — entre elas a Chartered Semiconductor, Freescale Inc. , Infineon Technologies, Samsung Electronics, ST Microelectronics e a Toshiba Corp. — liderados pela IBM.

Gary Patton, vice-presidente do Centro de P&D da IBM, declarou em nome de seus parceiros que esses resultados demonstram que, trabalhando juntos é possível desenvolver tecnologia de ponta, deixando para trás outros da indústria, mantendo assim uma vantagem competitiva.

A empresa não revelou detalhes mais técnicos dessa tecnologia, nem o material dielétrico utilizado em seus transistores.

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